Посвящается памяти академика Сергея Петровича Бугаева

Сергей Петрович Бугаев родился 3 августа 1936 г. в Ленинграде, но вся его сознательная жизнь была отдана Томску. Приехав в Томск из Хабаровска, Сергей Петрович здесь окончил Политехнический институт в 1959 г., здесь был аспирантом, научным сотрудником, заведующим лабораторией в НИИЯФ, где участвовал в создании синхротрона "СИРИУС". Работал доцентом, профессором, заведующим кафедрой электронных приборов в ТУСУРе, профессором кафедры физики плазмы ТГУ. В 1976 г. стал доктором наук, в 1987 г. - членом-корреспондентом РАН, а в 2000 был избран академиком РАН.

Бугаева часто называют моим учеником и это верно, но я всегда считал его не только учеником, но и лучшим другом - мы постоянно учились друг у друга.

Сергей Петрович был моим ближайшим помощником и соратником в деле основания Института сильноточной электроники СО РАН, в работе, которая привела к научному открытию (долгое время единственному в Томске) явления взрывной электронной эмиссии и созданию нового научного направления - сильноточной электроники, И в этом деле, мы не только учили, но и удачно дополняли друг друга.

А главным делом жизни С.П. Бугаева стало развитие этого научного направления и академического Института сильноточной электроники СО РАН, в создании которого он активно участвовал и директором которого он был избран в 1986 г. после моего перевода на Урал. С.П. Бугаевым впервые было показано, что скользящий разряд по диэлектрику в вакууме развивается в слое абсорбированного газа, доказана ведущая роль взрывной электронной эмиссии в инициировании такого разряда. Этот механизм был в дальнейшем подтвержден многими исследователями. Он внес большой вклад в решение проблемы генерации сильноточных электронных пучков с использованием холодных катодов. На основе проведенных им исследований перекрытия диэлектриков в вакууме было предложено использование металло-диэлектрических катодов. Им были впервые экспериментально исследованы физические явления в сильноточных диодах со взрывной эмиссией, свойства катодной и анодной плазмы и влияние этой плазмы в диоде на характеристики пучка электронов в ускорителе. Впервые изучены закономерности формирования структуры электронных пучков большого сечения, эти результаты были затем обобщены им в монографии "Электронные пучки большого сечения" (1984 г.). На базе исследований ионных потоков из разрядов низкого давления с его участием были разработаны источники газовых и металлических ионов для сильноточной ионной имплантации.

Большой вклад сделан С.П. Бугаевым и в развитие релятивистской сильноточной электроники. Им были впервые установлены соотношения тока в области ускорения для коаксиального диода с магнитной изоляцией (показано, "что ток определяется ускоряющей областью диода, а не предельным током пространства дрейфа), получены важные результаты при исследовании формирования сильноточных полых цилиндрических электронных потоков в таких диодах. Эти результаты, а так же результаты по генерации мощных импульсов микроволнового излучения были опубликованы в монографии <Релятивистские многоволновые СВЧ-генераторы> (1991г.).

С.П. Бугаев является автором и соавтором более 200 научных статей и 12 патентов, среди его учеников 2 доктора и 10 кандидатов наук.

Научные заслуги академика С.П. Бугаева отмечены премией Ленинского комсомола и Государственной премией СССР, орденами и медалями СССР и России. Решением Ученого совета Института прикладной физики РАН (г. Нижний Новгород) и Ученого совета Института сильноточной электроники СО РАН (г. Томск) кандидатура С.П. Бугаева включена (посмертно) в состав авторского коллектива, выдвинутого на соискание Государственной премии РФ в области науки и техники за 2002 г. за работы по релятивистской СВЧ-электронике. Огромное внимание уделял С.П. Бугаев и организационной стороне научных исследований. В трудные годы экономической нестабильности в стране он многое сделал для сохранения и развития ИСЭ СО РАН, который под его руководством сохранил лидирующее положение в мире в области импульсной техники, генерации мощного СВЧ-излучения, в разработке технологий вакуумно-плазменного нанесения покрытий.

Будучи избранным в 2000 г. на пост Председателя президиума Томского научного центра он приложил огромные усилия для сохранения и развития Томского Академгородка как уникального социального образования. Под его руководством налаживалось плодотворное взаимодействие вузовской и академической науки, установилось взаимопонимание с городскими и региональными властями.

Сергей Петрович никогда не кичился ни высоким служебным положением, ни академическими званиями, обладая поистине энциклопедическими знаниями, умением принимать взвешенные управленческие решения, он, прежде всего, оставался исключительно порядочным, внимательным к людям и удивительно скромным человеком. На праздновании своего 60-летия он сказал: "Я счастливый человек. У меня одна жизнь, одно дело, одна семья". По сути, это было его жизненное кредо. Такие люди как С.П. Бугаев не забываются, в ТУСУРе уже принято решение учредить стипендию имени академика С.П. Бугаева и открыть именную аудиторию. А главным памятником, хранящим обаяние личности С.П. Бугаева, был и остается его любимый Институт сильноточной электроники СО РАН, одним из создателей которого он был.

Первый вице-президент Российской Академии Наук
Академик Г.А. Месяц