В Томском научном центре прошел IV Международный конгресс «Потоки энергии и радиационные эффекты» (ENERGY FLUXES and RADIATION EFFECTS – EFRE), организаторами которого являются ТНЦ СО РАН, Институт сильноточной электроники СО РАН и Национальный исследовательский Томский политехнический университет. Впервые этот конгресс прошел в Томске в 2000 году.

    Традиционно под эгидой конгресса проходят сразу три авторитетных и востребованных научных форума: 16-я Международная конференция по радиационной физике и химии конденсированных сред, 18-й Международный симпозиум по сильноточной электронике и 12-я Международная конференцию по модификации материалов пучками заряженных частиц и потоками плазмы.

-  Николай Александрович Ратахин, председатель Президиума Томского научного центра СО РАН зачитал обращение председателя конгресса - академика Г.А. Месяца к участникам этого научного форума:

- Конгресс — несомненно, единое мероприятие, ценность которого состоит в тесном переплетении и взаимодополнении трех научно-технических областей, в возможности его участникам составить для себя широкую картину, взглянуть на нее под разными углами с позиций ученого-теоретика и экспериментатора, инженера и разработчика. Ценность конгресса — в стимулировании междисциплинарных связей и практических применений.

   В работе Конгресса приняли участие более 350 ученых и специалистов, представляющих научно-исследовательские институты, центры, университеты, и промышленные предприятия из различных регионов России, а также Казахстана, Беларуси, Франции, Италии, Египта, Японии и Китая.

– Конгресс является значимой площадкой для встречи, обмена информации, формирования потенциальных контактов для ведущих специалистов в области технической физики. Каждый раз в программе мероприятий появляются новые секции, которые отражают самые актуальные научные тенденции. Например, впервые состоится секция, посвященная убегающим электронам, в ходе ее работы участники представят новейшие результаты своих исследований и экспериментов, – отмечает Алексей МАРКОВ, главный ученый секретарь Томского научного центра СО РАН.

Также впервые в рамках конгресса состоялся круглый стол, организованный  Томским научным центром с участием «РОСНАНО», «Сколково» и «Томскнаноцентром», главная тема которого – использование возможностей этих организаций для практического внедрения результатов интеллектуальной деятельности коллективов научных институтов и вузов.

    Это во многом обусловлено тем, что одной из важнейших особенностей конференции является тесная взаимосвязь результатов фундаментальных исследований и возможностью их практического применения. В работе конгресса всегда принимают участие представители инновационных компаний, для которых важно внедрение новых передовых технологий. Пример такого успешного взаимодействия – сотрудничество ИСЭ СО РАН с японскими компаниями, которые внедрили ряд технологий, созданных учеными института: это технологии заточки медицинских игл, метод полировки плазмой деталей клапанов искусственного сердца.

Результаты исследований, проводимых в Институте сильноточной электроники, находят свое применение и в других сферах: космической, оборонной, химической и электротехнической промышленности. Одним из самых востребованных является направление, связанное с модификацией материалов и получение материалов с новыми свойствами.